, , , , ,

"Исследование зарождения и роста трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100)". Сергей Алексеевич Рудин, ИФП СО РАН, 27.2.2021

isp_sarudin_202102.pdf

Состав коллектива

Аннотация

Проведено теоретическое исследование роста упорядоченных групп GeSi наноостровков (квантовых точек) на структурированных подложках Si(100), представляющих собой квадратную решетку из ямок округлой формы с различным углом наклона боковых стенок и периодом между ямками. Результаты моделирования показали, что в зависимости от периода между ямками меняется характер распределения островков: от полного их отсутствия для малых периодов до зарождения островков как вблизи ямок, так и между ними для больших периодов. С увеличением угла наклона боковых стенок ямки зарождение островков вблизи ямок происходит на более поздних стадиях осаждения Ge.

Источники финансирования

Публикации